Технический документ под названием «Обзор и перспективы силовых устройств на основе GaN и SiC: современное состояние промышленности, применение и перспективы» был опубликован исследователями из Университета Падуи.
Абстрактный:
«Мы представляем всесторонний обзор и обзор транзисторов из карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), доступных на рынке силовой электроники текущего и следующего поколения. Впервые обсуждаются свойства материалов и структурные различия между устройствами GaN и SiC. На основе анализа различных коммерчески доступных силовых транзисторов GaN и SiC мы описываем современное состояние этих технологий, подчеркивая предпочтительные топологии преобразования энергии и ключевые характеристики каждой технологической платформы. Также рассмотрены текущие и будущие области применения устройств GaN и SiC. В статье также сообщается об основных аспектах надежности, связанных с обеими технологиями. Для GaN HEMT описаны стабильность порогового напряжения, динамическое сопротивление открытого состояния и ограничение пробоя, тогда как для SiC MOSFET анализ также фокусируется на отказе оксидов затвора и устойчивости к короткому замыканию (SC). Наконец, мы даем обзор перспективы таких материалов в различных областях интересов. Нарисовано указание возможных будущих улучшений и разработок для обеих технологий. Подчеркиваются требования к гибридным преобразователям, а также тщательная оптимизация производительности и использование инновационных инструментов оптимизации».
Технический документ можно найти здесь. Опубликовано в январе 2024 г.
М. Буффоло и др., «Обзор и перспективы силовых устройств на основе GaN и SiC: современное состояние промышленности, приложения и перспективы», в IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2023.3346369.
Связанное чтение
Силовые полупроводники: глубокое погружение в материалы, производство и бизнес
Премиум-контент: как создаются и работают эти устройства, проблемы производства, связанные с ними стартапы, а также причины, по которым так много усилий и ресурсов тратится на разработку новых материалов и новых процессов.
2024-01-15 20:02:43
1705349625
#Свойства #современных #коммерчески #доступных #силовых #SiC #GaN #транзисторов