Mitsubishi Electric поставит образцы четырех новых кристаллов Trench SiC-MOSFET для силовых полупроводников

ТОКИО – (BUSINESS WIRE) – Компания Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) объявила сегодня, что, начиная с 21 января, она начнет поставки образцов четырех новых полупроводниковых полевых транзисторов (SiC-MOSFET) из карбида кремния (микросхемы, не заключенные в защитный корпус), предназначенных для использования в оборудовании силовой электроники, таком как тяговые инверторы для электромобилей (EV), бортовые зарядные устройства и системы электропитания возобновляемых источников энергии, в том числе солнечной. Эти новые
2026-01-14 03:00:00


1768374818
#Mitsubishi #Electric #поставит #образцы #четырех #новых #кристаллов #Trench #SiCMOSFET #для #силовых #полупроводников

Читайте также

Read more:  Mauna Kea Technologies публикует свой оборот первой половины 2025 года

Leave a Comment

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.