SK hynix объявляет финансовые результаты за 25 финансовый год, публикует рекордно высокие результаты и обеспечивает самую высокую доходность акционеров

Компания SK hynix Inc. объявила сегодня о достижении рекордных финансовых результатов в 2025 году — 97,1467 трлн вон выручки, 47,2063 трлн вон операционной прибыли (с операционной рентабельностью 49%) и 42,9479 трлн вон чистой прибыли (с чистой рентабельностью 44%). Результаты значительно превзошли предыдущий рекорд, установленный в 2024 году. Годовой доход увеличился более чем на 30 триллионов вон, а годовая операционная прибыль увеличилась почти вдвое по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, что стало самым высоким годовым показателем в истории компании.

В четвертом квартале темпы роста еще более ускорились. Помимо HBM, резко возрос спрос на традиционные решения памяти для серверов, на что активно отреагировала SK hynix. В результате компания достигла рекордно высоких квартальных показателей по всем трем показателям: выручка выросла на 34% до 32,8267 трлн вон, операционная прибыль выросла на 68% до 19,1696 трлн вон, а операционная рентабельность достигла 58% в квартальном исчислении.

В SK hynix подчеркнули, что 2025 год стал годом, когда компания еще раз продемонстрировала свое технологическое лидерство мирового уровня. В ответ на структуру спроса, ориентированную на искусственный интеллект, компания обеспечила рост и прибыльность за счет повышения технологической конкурентоспособности и расширения своего портфеля продуктов с высокой добавленной стоимостью.

В сегменте DRAM выручка HBM выросла более чем вдвое по сравнению с прошлым годом, что внесло значительный вклад в рекордные показатели компании. Обычная DRAM вступила в полномасштабное массовое производство по техпроцессу 1 сантиметр на дюйм, или шестому поколению 10-нанометровой технологии. Компания также укрепила свое лидерство в производстве серверных модулей, разработав 256 ГБ DDR5 RDIMM — серверный модуль высокой емкости на базе 32 ГБ DRAM пятого поколения 10 нм класса (1b).

Что касается бизнеса NAND, несмотря на вялый спрос в первом полугодии, компания завершила разработку продуктов QLC с 321 слоем. SK hynix также достигла самого высокого годового дохода за всю историю, отреагировав на спрос клиентов, ориентированный на eSSD, во втором полугодии.

Компания отметила, что по мере того, как рынок искусственного интеллекта переходит от обучения к выводу, а спрос на распределенные архитектуры растет, роль памяти будет становиться все более важной. Соответственно, ожидается, что спрос будет постоянно расти не только на высокопроизводительную память, такую как HBM, но и на все продукты памяти, включая серверную DRAM и NAND.

В ответ SK hynix планирует и дальше укреплять свое проверенное качество, технологическое лидерство и возможности массового производства, основываясь на доверии клиентов, которое она завоевала как единственный игрок отрасли, способный стабильно поставлять как HBM3E, так и HBM4 одновременно. В частности, после успешного завершения этапов подготовки к массовому производству HBM4 – впервые в отрасли – в сентябре прошлого года, началось крупномасштабное производство HBM следующего поколения для удовлетворения запросов клиентов, сообщили в компании.

Компания также намерена сохранить свое лидерство в HBM4, одновременно укрепляя сотрудничество с клиентами и партнерами для поставки оптимизированных продуктов в рамках «Custom HBM», которая продолжает набирать обороты как ключевое отличие.

Что касается обычной DRAM, SK hynix намерена ускорить переход на процесс 1 CNm, расширив свой портфель продуктов памяти для искусственного интеллекта, включив в него такие решения, как SOCAMM2 и GDDR7. Что касается NAND, компания планирует максимизировать конкурентоспособность продукта за счет перехода на 321-слойную технологию, одновременно активно удовлетворяя спрос на системы хранения данных в центрах обработки данных с использованием искусственного интеллекта, используя Solidigm QLC eSSD.

SK hynix заявила, что будет уделять приоритетное внимание удовлетворению потребительского спроса на фоне дисбаланса спроса и предложения путем укрепления партнерских отношений. С этой целью компания планирует на раннем этапе максимально увеличить производственные мощности завода M15X в Чхонджу. Компания также намерена обеспечить стабильные производственные возможности в среднесрочной и долгосрочной перспективе за счет строительства первого завода в полупроводниковом кластере Йонгинь.

Строительство современных упаковочных предприятий в Чхонджу и Индиане, США, также продвигается гладко. Это позволяет компании создать интегрированные глобальные производственные мощности, охватывающие как внешние, так и внутренние процессы, и иметь возможность гибко реагировать на изменения потребительского спроса.

Тем временем, опираясь на рекордно высокие финансовые результаты, SK hynix объявила о крупномасштабной программе возврата акционеров для повышения акционерной стоимости.

Компания выплатит дополнительные дивиденды в размере 1 триллиона вон, что эквивалентно 1500 вон на акцию. В сочетании с регулярными квартальными дивидендами в размере 375 вон дивиденды на конец года составят 1875 вон на акцию, в результате чего общий размер дивидендов за 2025 финансовый год составит 3000 вон на акцию, или 2,1 трлн вон в совокупности.

SK hynix также планирует аннулировать 15,3 млн казначейских акций (приблизительно 12,2 трлн вон, исходя из цены закрытия 27 числа), что эквивалентно 2,1% от общего числа акций в обращении, что сигнализирует о долгосрочном обязательстве по увеличению стоимости на акцию и доходности акционеров.

Сон Хён Чжон, президент и глава корпоративного центра, заявил, что SK hynix продолжит обеспечивать устойчивый рост производительности, сохраняя при этом оптимальный баланс между будущими инвестициями, финансовой стабильностью и доходами акционеров, основываясь на технологических преимуществах компании. «Мы укрепим нашу роль не просто как поставщика продукции, но и как основного партнера по инфраструктуре в эпоху искусственного интеллекта, позволяя клиентам удовлетворять свои требования к производительности искусственного интеллекта».