Исследователи раскрывают потенциал 2D-магнитных устройств для будущих вычислений
Эта статья была проверена в соответствии с редакционным процессом и политикой Science X. Редакторы выделили следующие атрибуты, гарантируя при этом достоверность контента: проверенный фактами рецензируемое издание надежный источник корректура Хорошо! Туннельное магнитосопротивление и магнитный домен бислоя (2 L) CrI3. Фото: Nature Communications (2024 г.). DOI: 10.1038/s41467-024-47820-5 × закрыть Туннельное магнитосопротивление и магнитный домен бислоя (2 … Read more